AONV420A60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONV420A60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8-4L

Аналог (замена) для AONV420A60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONV420A60 даташит

 ..1. Size:670K  aosemi
 aonv420a60.pdf pdf_icon

AONV420A60

AONV420A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 6.1. Size:501K  aosemi
 aonv420a70.pdf pdf_icon

AONV420A60

AONV420A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 46A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AONV095A60, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AONV200A70, AONV210A60, AONV310A60, IRF1010E, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128, AOSN32338C