Справочник MOSFET. AOSD21313C

 

AOSD21313C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOSD21313C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AOSD21313C

 

 

AOSD21313C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  aosemi
aosd21313c.pdf

AOSD21313C
AOSD21313C

AOSD21313C30V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.7A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:383K  aosemi
aosd21311c.pdf

AOSD21313C
AOSD21313C

AOSD21311C30V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:315K  aosemi
aosd21307.pdf

AOSD21313C
AOSD21313C

AOSD2130730V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -9A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:687K  aosemi
aosd26313c.pdf

AOSD21313C
AOSD21313C

AOSD26313C30V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryP-Channel N-Channel Latest Advanced Trench TechnologyVDS= -30V VDS= 30V Low RDS(ON)ID=-5.7A (VGS=-10V) ID= 7A (VGS=10V) High Current CapabilityRDS(ON) RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top