AOSD32338C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSD32338C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSD32338C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSD32338C даташит

 ..1. Size:332K  aosemi
 aosd32338c.pdf pdf_icon

AOSD32338C

AOSD32338C 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:326K  aosemi
 aosd32334c.pdf pdf_icon

AOSD32338C

AOSD32334C 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, 5N60, AOSP21321, AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, AOSP66923