Справочник MOSFET. AOSD32338C

 

AOSD32338C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSD32338C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AOSD32338C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSD32338C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  aosemi
 aosd32338c.pdf pdf_icon

AOSD32338C

AOSD32338C30V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:326K  aosemi
 aosd32334c.pdf pdf_icon

AOSD32338C

AOSD32334C30V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOSX21319C , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C , AOSD32334C , 13N50 , AOSP21321 , AOSP32320C , AOSP36326C , AOSP62530 , AOSP62626E , AOSP66919 , AOSP66920 , AOSP66923 .

 

 
Back to Top

 


 
.