Справочник MOSFET. AOSP32320C

 

AOSP32320C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP32320C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP32320C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  aosemi
 aosp32320c.pdf pdf_icon

AOSP32320C

AOSP32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 8.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:319K  aosemi
 aosp32314.pdf pdf_icon

AOSP32320C

AOSP3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 14.5A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:431K  aosemi
 aosp32368.pdf pdf_icon

AOSP32320C

AOSP3236830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V Optimized for Load Switch ID (at VGS=10V) 16A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:326K  aosemi
 aosp36326c.pdf pdf_icon

AOSP32320C

AOSP36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.