Справочник MOSFET. AOSP62530

 

AOSP62530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP62530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AOSP62530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP62530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  aosemi
 aosp62530.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP62530TM150V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS150V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:329K  aosemi
 aosp62626e.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP62626ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C , AOSD32334C , AOSD32338C , AOSP21321 , AOSP32320C , AOSP36326C , 75N75 , AOSP62626E , AOSP66919 , AOSP66920 , AOSP66923 , AOSP66925 , AOSS21115C , AOSS21311C , AOSS21319C .

History: MTM2N85 | AP10N7R5H | PSMN018-100PSF

 

 
Back to Top

 


 
.