AOSP62530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSP62530

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSP62530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP62530 даташит

 ..1. Size:312K  aosemi
 aosp62530.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP62530 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:329K  aosemi
 aosp62626e.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP62626E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP62530

AOSP66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C, AOSP36326C, 18N50, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925, AOSS21115C, AOSS21311C, AOSS21319C