AOSP66919. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSP66919

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSP66919

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP66919 даташит

 ..1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP66919

AOSP66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP66919

AOSP66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:312K  aosemi
 aosp66923.pdf pdf_icon

AOSP66919

AOSP66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:315K  aosemi
 aosp66925.pdf pdf_icon

AOSP66919

AOSP66925 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530, AOSP62626E, IRF520, AOSP66920, AOSP66923, AOSP66925, AOSS21115C, AOSS21311C, AOSS21319C, AOSS21329, AOSS32128