Справочник MOSFET. AOSP66920

 

AOSP66920 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP66920
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AOSP66920

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP66920 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP66920

AOSP66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:312K  aosemi
 aosp66923.pdf pdf_icon

AOSP66920

AOSP66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:315K  aosemi
 aosp66925.pdf pdf_icon

AOSP66920

AOSP66925TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP66920

AOSP66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOSD32334C , AOSD32338C , AOSP21321 , AOSP32320C , AOSP36326C , AOSP62530 , AOSP62626E , AOSP66919 , IRFB31N20D , AOSP66923 , AOSP66925 , AOSS21115C , AOSS21311C , AOSS21319C , AOSS21329 , AOSS32128 , AOSS32136C .

 

 
Back to Top

 


 
.