AOSP66923. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSP66923

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSP66923

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP66923 даташит

 ..1. Size:312K  aosemi
 aosp66923.pdf pdf_icon

AOSP66923

AOSP66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP66923

AOSP66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:315K  aosemi
 aosp66925.pdf pdf_icon

AOSP66923

AOSP66925 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP66923

AOSP66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530, AOSP62626E, AOSP66919, AOSP66920, STF13NM60N, AOSP66925, AOSS21115C, AOSS21311C, AOSS21319C, AOSS21329, AOSS32128, AOSS32136C, AOSS32334C