AOSS32338C - аналоги и даташиты транзистора

 

AOSS32338C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOSS32338C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AOSS32338C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSS32338C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  aosemi
 aoss32338c.pdf pdf_icon

AOSS32338C

AOSS32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:332K  aosemi
 aoss32334c.pdf pdf_icon

AOSS32338C

AOSS32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:333K  aosemi
 aoss32136c.pdf pdf_icon

AOSS32338C

AOSS32136C20V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:305K  aosemi
 aoss32128.pdf pdf_icon

AOSS32338C

AOSS3212820V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOSP66925 , AOSS21115C , AOSS21311C , AOSS21319C , AOSS21329 , AOSS32128 , AOSS32136C , AOSS32334C , IRF1405 , AO3160E , AOT080A60L , AOT095A60FDL , AOT095A60L , AOT125A60L , AOT160A60L , AOT190A60CL , AOT190A60L .

 

 
Back to Top

 


 
.