AOT095A60FDL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOT095A60FDL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AOT095A60FDL
AOT095A60FDL Datasheet (PDF)
aot095a60fdl.pdf

AOT095A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aot095a60l.pdf

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOSS21319C , AOSS21329 , AOSS32128 , AOSS32136C , AOSS32334C , AOSS32338C , AO3160E , AOT080A60L , RU7088R , AOT095A60L , AOT125A60L , AOT160A60L , AOT190A60CL , AOT190A60L , AOT280A60L , AOT29S50L , AOT360A70L .
History: 2SK3521-01L | FQB8N90CTM | AP20T15GH-HF | AP4455GYT-HF | PTP03N04N
History: 2SK3521-01L | FQB8N90CTM | AP20T15GH-HF | AP4455GYT-HF | PTP03N04N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970