Справочник MOSFET. AOT095A60FDL

 

AOT095A60FDL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT095A60FDL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT095A60FDL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT095A60FDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  aosemi
 aot095a60fdl.pdf pdf_icon

AOT095A60FDL

AOT095A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:499K  aosemi
 aot095a60l.pdf pdf_icon

AOT095A60FDL

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOSS21319C , AOSS21329 , AOSS32128 , AOSS32136C , AOSS32334C , AOSS32338C , AO3160E , AOT080A60L , STP65NF06 , AOT095A60L , AOT125A60L , AOT160A60L , AOT190A60CL , AOT190A60L , AOT280A60L , AOT29S50L , AOT360A70L .

History: PHB96NQ03LT | 2N5398 | OSG60R108FZF | P0765JD | WFW13N50 | BSD235C

 

 
Back to Top

 


 
.