Справочник MOSFET. AOT600A60L

 

AOT600A60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT600A60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT600A60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  aosemi
 aot600a60l.pdf pdf_icon

AOT600A60L

AOTF600A60L/AOT600A60L/AOB600A60LTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.1. Size:511K  aosemi
 aot600a70l.pdf pdf_icon

AOT600A60L

AOTF600A70L/AOT600A70L/AOB600A70LTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.2. Size:755K  aosemi
 aot600a70fl.pdf pdf_icon

AOT600A60L

AOTF600A70FL/AOT600A70FLTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOT190A60CL , AOT190A60L , AOT280A60L , AOT29S50L , AOT360A70L , AOT380A60CL , AOT380A60L , AOT450A70L , AO4468 , AOT600A70FL , AOT600A70L , AOT66518L , AOT66613 , AOT66616L , AOT66620L , AOT66811L , AOT66914L .

 

 
Back to Top

 


 
.