Справочник MOSFET. AOT600A70L

 

AOT600A70L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT600A70L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT600A70L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT600A70L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  aosemi
 aot600a70l.pdf pdf_icon

AOT600A70L

AOTF600A70L/AOT600A70L/AOB600A70LTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:755K  aosemi
 aot600a70fl.pdf pdf_icon

AOT600A70L

AOTF600A70FL/AOT600A70FLTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.1. Size:483K  aosemi
 aot600a60l.pdf pdf_icon

AOT600A70L

AOTF600A60L/AOT600A60L/AOB600A60LTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOT280A60L , AOT29S50L , AOT360A70L , AOT380A60CL , AOT380A60L , AOT450A70L , AOT600A60L , AOT600A70FL , IRFP064N , AOT66518L , AOT66613 , AOT66616L , AOT66620L , AOT66811L , AOT66914L , AOT66916L , AOT66918L .

History: AO3419 | IXFR48N60P | TSP740MR | JCS620CT | SQ4917EY | PMN20EN | AP4438GYT-HF

 

 
Back to Top

 


 
.