AOT66918L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT66918L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT66918L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT66918L даташит

 ..1. Size:374K  aosemi
aot66918l.pdfpdf_icon

AOT66918L

AOT66918L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Combined of low RDS(ON) and wide safe operatiing area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:370K  aosemi
aot66919l.pdfpdf_icon

AOT66918L

AOT66919L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 105A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:409K  aosemi
aot66914l aob66914l.pdfpdf_icon

AOT66918L

AOT66914L/AOB66914L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:409K  aosemi
aot66914l.pdfpdf_icon

AOT66918L

AOT66914L/AOB66914L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOT600A70L, AOT66518L, AOT66613, AOT66616L, AOT66620L, AOT66811L, AOT66914L, AOT66916L, IRF540, AOT66919L, AOT66920L, AOT780A70L, AOTF080A60L, AOTF095A60FDL, AOTF095A60L, AOTF125A60FDL, AOTF125A60L