AOT66920L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT66920L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT66920L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT66920L даташит

 ..1. Size:840K  aosemi
 aot66920l.pdf pdf_icon

AOT66920L

AOT66920L/AOB66920L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:840K  aosemi
 aot66920l aob66920l.pdf pdf_icon

AOT66920L

AOT66920L/AOB66920L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:370K  aosemi
 aot66919l.pdf pdf_icon

AOT66920L

AOT66919L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 105A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:409K  aosemi
 aot66914l aob66914l.pdf pdf_icon

AOT66920L

AOT66914L/AOB66914L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT66613, AOT66616L, AOT66620L, AOT66811L, AOT66914L, AOT66916L, AOT66918L, AOT66919L, IRFP460, AOT780A70L, AOTF080A60L, AOTF095A60FDL, AOTF095A60L, AOTF125A60FDL, AOTF125A60L, AOTF160A60FDL, AOTF160A60L