AOT780A70L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT780A70L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT780A70L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT780A70L даташит

 ..1. Size:504K  aosemi
 aot780a70l.pdf pdf_icon

AOT780A70L

AOTF780A70L/AOT780A70L/AOB780A70L TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 ..2. Size:504K  aosemi
 aotf780a70l aot780a70l aob780a70l.pdf pdf_icon

AOT780A70L

AOTF780A70L/AOT780A70L/AOB780A70L TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOT66616L, AOT66620L, AOT66811L, AOT66914L, AOT66916L, AOT66918L, AOT66919L, AOT66920L, IRFZ44, AOTF080A60L, AOTF095A60FDL, AOTF095A60L, AOTF125A60FDL, AOTF125A60L, AOTF160A60FDL, AOTF160A60L, AOTF190A60CL