Справочник MOSFET. AOT780A70L

 

AOT780A70L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT780A70L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT780A70L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT780A70L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  aosemi
 aot780a70l.pdf pdf_icon

AOT780A70L

AOTF780A70L/AOT780A70L/AOB780A70LTM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOT66616L , AOT66620L , AOT66811L , AOT66914L , AOT66916L , AOT66918L , AOT66919L , AOT66920L , IRFZ44 , AOTF080A60L , AOTF095A60FDL , AOTF095A60L , AOTF125A60FDL , AOTF125A60L , AOTF160A60FDL , AOTF160A60L , AOTF190A60CL .

 

 
Back to Top

 


 
.