Справочник MOSFET. AOTF080A60L

 

AOTF080A60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTF080A60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AOTF080A60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF080A60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  aosemi
 aotf080a60l.pdf pdf_icon

AOTF080A60L

AOTF080A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:454K  aosemi
 aotf095a60fdl.pdf pdf_icon

AOTF080A60L

AOTF095A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 56A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:499K  aosemi
 aotf095a60l.pdf pdf_icon

AOTF080A60L

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOT66620L , AOT66811L , AOT66914L , AOT66916L , AOT66918L , AOT66919L , AOT66920L , AOT780A70L , IRFP460 , AOTF095A60FDL , AOTF095A60L , AOTF125A60FDL , AOTF125A60L , AOTF160A60FDL , AOTF160A60L , AOTF190A60CL , AOTF280A60L .

 

 
Back to Top

 


 
.