Справочник MOSFET. AOTF450A70L

 

AOTF450A70L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTF450A70L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF450A70L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  aosemi
aotf450a70l.pdfpdf_icon

AOTF450A70L

AOTF450A70L/AOT450A70L/AOB450A70LTM 700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.1. Size:441K  aosemi
aotf450l.pdfpdf_icon

AOTF450A70L

AOTF450L200V, 5.8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOTF450L is fabricated using an advanced high VDS 250V@150voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 5.8Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
aotf450l.pdfpdf_icon

AOTF450A70L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF450LFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.265(TYPE)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

 8.1. Size:242K  aosemi
aotf454l.pdfpdf_icon

AOTF450A70L

AOTF454L150V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOTF454L combines advanced trench MOSFET 150V13Atechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V)extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AOTF66616L | HM30N02D

 

 
Back to Top

 


 
.