Справочник MOSFET. AOK125A60FDL

 

AOK125A60FDL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOK125A60FDL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK125A60FDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  aosemi
 aok125a60fdl.pdf pdf_icon

AOK125A60FDL

AOK125A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 88A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:462K  aosemi
 aok125a60.pdf pdf_icon

AOK125A60FDL

AOK125A60TM600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BSC097N06NST | AOK29S50 | BSO207P | AOD1N60 | BSC079N03SG | AP40T10GH | CSD85312Q3E

 

 
Back to Top

 


 
.