AOK125A60FDL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOK125A60FDL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для AOK125A60FDL
AOK125A60FDL Datasheet (PDF)
aok125a60fdl.pdf
AOK125A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 88A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aok125a60.pdf
AOK125A60TM600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOK040A60 , AOK042A60FD , AOK065A60 , AOK065A60FD , AOK095A60 , AOK095A60FD , AOK095A60FDL , AOK125A60 , SKD502T , AOK160A60 , AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 , AOI1R4A70 , AOI21357 .
History: BLM08N10-P | PR812BA33 | BLP03N08-BA | 11NM70L-TMS2-T | PV555BA | STSJ25NF3LL | BLS60R150F-W
History: BLM08N10-P | PR812BA33 | BLP03N08-BA | 11NM70L-TMS2-T | PV555BA | STSJ25NF3LL | BLS60R150F-W
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793



