AOK125A60FDL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOK125A60FDL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AOK125A60FDL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK125A60FDL даташит

 ..1. Size:455K  aosemi
 aok125a60fdl.pdf pdf_icon

AOK125A60FDL

AOK125A60FDL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 88A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:462K  aosemi
 aok125a60.pdf pdf_icon

AOK125A60FDL

AOK125A60 TM 600V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOK040A60, AOK042A60FD, AOK065A60, AOK065A60FD, AOK095A60, AOK095A60FD, AOK095A60FDL, AOK125A60, SKD502T, AOK160A60, AOK160A60FDL, AOK2500L, AOK66518, AOK66613, AOK66914, AOI1R4A70, AOI21357