AOK160A60FDL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOK160A60FDL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для AOK160A60FDL
AOK160A60FDL Datasheet (PDF)
aok160a60fdl.pdf
AOK160A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aok160a60.pdf
AOK160A60TM600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOK065A60 , AOK065A60FD , AOK095A60 , AOK095A60FD , AOK095A60FDL , AOK125A60 , AOK125A60FDL , AOK160A60 , AO4407 , AOK2500L , AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 , AOI1R4A70 , AOI21357 , AOI360A70 , AOI380A60C .
History: JMSH1003NC | JMPC5N50BJ | JMSH1003TE | JMSH1003NE7 | JMSH1003TTL
History: JMSH1003NC | JMPC5N50BJ | JMSH1003TE | JMSH1003NE7 | JMSH1003TTL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM15N10D | AGM15N10AP | AGM150P10S | AGM150P10D | AGM150P10AP | AGM14N10D | AGM14N10AP | AGM14N10A | AGM1405F | AGM1405C1 | AGM13T30D | AGM13T30A | AGM13T15D | AGM13T15C | AGM13T15A | AGM20P22AS
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031



