Справочник MOSFET. AOI1R4A70

 

AOI1R4A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI1R4A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251A
 

 Аналог (замена) для AOI1R4A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI1R4A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:800K  aosemi
 aoi1r4a70.pdf pdf_icon

AOI1R4A70

AOD1R4A70/AOI1R4A70TM700V, a MOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOK125A60 , AOK125A60FDL , AOK160A60 , AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 , AON7506 , AOI21357 , AOI360A70 , AOI380A60C , AOI450A70 , AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 .

History: S60N18RP | 2SJ549L | STW18NM60ND | HM2809D | OSG65R460AZF | RS3E075AT | SIHFI614G

 

 
Back to Top

 


 
.