AOI1R4A70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOI1R4A70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251A

Аналог (замена) для AOI1R4A70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI1R4A70 даташит

 ..1. Size:800K  aosemi
 aod1r4a70 aoi1r4a70.pdf pdf_icon

AOI1R4A70

AOD1R4A70/AOI1R4A70 TM 700V, a MOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 ..2. Size:800K  aosemi
 aoi1r4a70.pdf pdf_icon

AOI1R4A70

AOD1R4A70/AOI1R4A70 TM 700V, a MOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOK125A60, AOK125A60FDL, AOK160A60, AOK160A60FDL, AOK2500L, AOK66518, AOK66613, AOK66914, IRFB3607, AOI21357, AOI360A70, AOI380A60C, AOI450A70, AOI600A60, AOI600A70, AOI600A70R, AOI950A70