Справочник MOSFET. AOI600A60

 

AOI600A60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI600A60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251A
 

 Аналог (замена) для AOI600A60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI600A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  aosemi
 aoi600a60.pdf pdf_icon

AOI600A60

AOD600A60/AOI600A60TM600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.1. Size:528K  aosemi
 aoi600a70r.pdf pdf_icon

AOI600A60

AOD600A70R/AOI600A70RTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.2. Size:660K  aosemi
 aoi600a70.pdf pdf_icon

AOI600A60

AOD600A70/AOI600A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 , AOI1R4A70 , AOI21357 , AOI360A70 , AOI380A60C , AOI450A70 , IRFP250 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 , AOY66620 , AOY66919 , AOY66920 , AOY66923 , AOD1R4A70 .

 

 
Back to Top

 


 
.