Справочник MOSFET. AOI950A70

 

AOI950A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI950A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO251A
 

 Аналог (замена) для AOI950A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI950A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  aosemi
 aoi950a70.pdf pdf_icon

AOI950A70

AOD950A70/AOI950A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOI1R4A70 , AOI21357 , AOI360A70 , AOI380A60C , AOI450A70 , AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , IRFZ24N , AOY66620 , AOY66919 , AOY66920 , AOY66923 , AOD1R4A70 , AOD210V60E , AOD21357 , AOD280A60 .

History: CS8N65F | SSM5P16FU | SM3419NHQA | RS1G180MN | BLS60R150-F | CPH6311 | KQB2N50

 

 
Back to Top

 


 
.