AOI950A70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOI950A70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO251A

Аналог (замена) для AOI950A70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI950A70 даташит

 ..1. Size:786K  aosemi
 aoi950a70.pdf pdf_icon

AOI950A70

AOD950A70/AOI950A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 ..2. Size:786K  aosemi
 aod950a70 aoi950a70.pdf pdf_icon

AOI950A70

AOD950A70/AOI950A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOI1R4A70, AOI21357, AOI360A70, AOI380A60C, AOI450A70, AOI600A60, AOI600A70, AOI600A70R, TK10A60D, AOY66620, AOY66919, AOY66920, AOY66923, AOD1R4A70, AOD210V60E, AOD21357, AOD280A60