AOY66919. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOY66919

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO251B

Аналог (замена) для AOY66919

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOY66919 даташит

 ..1. Size:353K  aosemi
 aoy66919.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:569K  aosemi
 aoy66920.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:593K  aosemi
 aoy66923.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:349K  aosemi
 aoy66620.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 58A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOI360A70, AOI380A60C, AOI450A70, AOI600A60, AOI600A70, AOI600A70R, AOI950A70, AOY66620, BS170, AOY66920, AOY66923, AOD1R4A70, AOD210V60E, AOD21357, AOD280A60, AOD32324, AOD32326