AOY66919 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOY66919 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOY66919
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO251B
 

 Аналог (замена) для AOY66919

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOY66919 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  aosemi
 aoy66919.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:569K  aosemi
 aoy66920.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:593K  aosemi
 aoy66923.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:349K  aosemi
 aoy66620.pdf pdf_icon

AOY66919

AOY66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 58A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOI360A70 , AOI380A60C , AOI450A70 , AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 , AOY66620 , 18N50 , AOY66920 , AOY66923 , AOD1R4A70 , AOD210V60E , AOD21357 , AOD280A60 , AOD32324 , AOD32326 .

History: IRFU9310PBF | SSF22A5E | SPP80N05L

 

 
Back to Top

 


 
.