AOD32326 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOD32326
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AOD32326
AOD32326 Datasheet (PDF)
aod32326.pdf

AOD3232630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aod32324.pdf

AOD3232430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aod32334c.pdf

AOD32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOY66919 , AOY66920 , AOY66923 , AOD1R4A70 , AOD210V60E , AOD21357 , AOD280A60 , AOD32324 , 2N60 , AOD32334C , AOD360A70 , AOD380A60 , AOD380A60C , AOD450A70 , AOD600A60 , AOD600A70 , AOD600A70R .
History: FDB5690 | JMSL0406AGQ | 2SK1399 | BSP75G | 2SK1494-Z | FDN8601 | HM2310B
History: FDB5690 | JMSL0406AGQ | 2SK1399 | BSP75G | 2SK1494-Z | FDN8601 | HM2310B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60