Справочник MOSFET. AOD32326

 

AOD32326 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD32326
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD32326 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  aosemi
 aod32326.pdf pdf_icon

AOD32326

AOD3232630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:353K  aosemi
 aod32324.pdf pdf_icon

AOD32326

AOD3232430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:339K  aosemi
 aod32334c.pdf pdf_icon

AOD32326

AOD32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOY66919 , AOY66920 , AOY66923 , AOD1R4A70 , AOD210V60E , AOD21357 , AOD280A60 , AOD32324 , IRFZ46N , AOD32334C , AOD360A70 , AOD380A60 , AOD380A60C , AOD450A70 , AOD600A60 , AOD600A70 , AOD600A70R .

 

 
Back to Top

 


 
.