AOD380A60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD380A60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AOD380A60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD380A60 даташит

 ..1. Size:440K  aosemi
 aod380a60.pdf pdf_icon

AOD380A60

AOD380A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.1. Size:467K  aosemi
 aod380a60c.pdf pdf_icon

AOD380A60

AOD380A60C/AOI380A60C TM 600V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.2. Size:467K  aosemi
 aod380a60c aoi380a60c.pdf pdf_icon

AOD380A60

AOD380A60C/AOI380A60C TM 600V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOD1R4A70, AOD210V60E, AOD21357, AOD280A60, AOD32324, AOD32326, AOD32334C, AOD360A70, 20N50, AOD380A60C, AOD450A70, AOD600A60, AOD600A70, AOD600A70R, AOD66616, AOD66620, AOD66643