AOD66919 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOD66919 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOD66919
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AOD66919

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD66919 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  aosemi
 aod66919.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:771K  aosemi
 aod66920.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:726K  aosemi
 aod66923.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:555K  aosemi
 aod661.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD66130V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOD380A60C , AOD450A70 , AOD600A60 , AOD600A70 , AOD600A70R , AOD66616 , AOD66620 , AOD66643 , RU6888R , AOD66920 , AOD66923 , AOD780A70 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , AOW360A70 .

 

 
Back to Top

 


 
.