AOD66919. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD66919

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AOD66919

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD66919 даташит

 ..1. Size:360K  aosemi
 aod66919.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:771K  aosemi
 aod66920.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:726K  aosemi
 aod66923.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:555K  aosemi
 aod661.pdf pdf_icon

AOD66919

AOD661 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOD380A60C, AOD450A70, AOD600A60, AOD600A70, AOD600A70R, AOD66616, AOD66620, AOD66643, AO3400A, AOD66920, AOD66923, AOD780A70, AOD950A70, AOD609G, AOW125A60, AOW190A60C, AOW360A70