Справочник MOSFET. AOD66923

 

AOD66923 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD66923
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AOD66923

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD66923 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  aosemi
 aod66923.pdf pdf_icon

AOD66923

AOD66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:771K  aosemi
 aod66920.pdf pdf_icon

AOD66923

AOD66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:360K  aosemi
 aod66919.pdf pdf_icon

AOD66923

AOD66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:555K  aosemi
 aod661.pdf pdf_icon

AOD66923

AOD66130V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOD600A60 , AOD600A70 , AOD600A70R , AOD66616 , AOD66620 , AOD66643 , AOD66919 , AOD66920 , IRFZ48N , AOD780A70 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 .

History: P5506HVG | NCE70N1K1R

 

 
Back to Top

 


 
.