Справочник MOSFET. AOD950A70

 

AOD950A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD950A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AOD950A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD950A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  aosemi
 aod950a70.pdf pdf_icon

AOD950A70

AOD950A70/AOI950A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOD600A70R , AOD66616 , AOD66620 , AOD66643 , AOD66919 , AOD66920 , AOD66923 , AOD780A70 , MMIS60R580P , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 , AOWF125A60 .

History: APT60M60JFLL | TPCA8A09-H | LNC04R050 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.