AOW66616. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOW66616

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для AOW66616

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW66616 даташит

 ..1. Size:709K  aosemi
 aow66616.pdf pdf_icon

AOW66616

AOW66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 140A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:355K  aosemi
 aow66613.pdf pdf_icon

AOW66616

AOW66613 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:313K  1
 aow66412.pdf pdf_icon

AOW66616

AOW66412 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:717K  aosemi
 aow66412.pdf pdf_icon

AOW66616

AOW66412 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOD66923, AOD780A70, AOD950A70, AOD609G, AOW125A60, AOW190A60C, AOW360A70, AOW66613, IRFB7545, AOWF095A60, AOWF125A60, AOWF160A60, AOWF190A60C, AOWF360A70, AOWF380A60C, AOWF450A70, AOWF600A60