AOB190A60L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOB190A60L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AOB190A60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB190A60L даташит

 ..1. Size:948K  aosemi
 aob190a60l.pdf pdf_icon

AOB190A60L

AOB190A60L/AOT190A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:484K  aosemi
 aotf190a60cl aot190a60cl aob190a60cl.pdf pdf_icon

AOB190A60L

AOTF190A60CL/AOT190A60CL/AOB190A60CL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.2. Size:484K  aosemi
 aob190a60cl.pdf pdf_icon

AOB190A60L

AOTF190A60CL/AOT190A60CL/AOB190A60CL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOWF600A60, AOWF600A70, AOWF600A70F, AOWF780A70, AOB095A60L, AOB125A60L, AOB160A60L, AOB190A60CL, 20N60, AOB280A60L, AOB360A70L, AOB380A60CL, AOB450A70L, AOB600A60L, AOB600A70FL, AOB600A70L, AOB66216L