AOB190A60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOB190A60L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для AOB190A60L
AOB190A60L Datasheet (PDF)
aob190a60l.pdf

AOB190A60L/AOT190A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aob190a60cl.pdf

AOTF190A60CL/AOT190A60CL/AOB190A60CLTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOWF600A60 , AOWF600A70 , AOWF600A70F , AOWF780A70 , AOB095A60L , AOB125A60L , AOB160A60L , AOB190A60CL , 20N60 , AOB280A60L , AOB360A70L , AOB380A60CL , AOB450A70L , AOB600A60L , AOB600A70FL , AOB600A70L , AOB66216L .
History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2
History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333