Справочник MOSFET. AOB600A60L

 

AOB600A60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB600A60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AOB600A60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB600A60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  aosemi
 aob600a60l.pdf pdf_icon

AOB600A60L

AOTF600A60L/AOT600A60L/AOB600A60LTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.1. Size:475K  aosemi
 aob600a70fl.pdf pdf_icon

AOB600A60L

AOB600A70FLTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.2. Size:511K  aosemi
 aob600a70l.pdf pdf_icon

AOB600A60L

AOTF600A70L/AOT600A70L/AOB600A70LTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOB125A60L , AOB160A60L , AOB190A60CL , AOB190A60L , AOB280A60L , AOB360A70L , AOB380A60CL , AOB450A70L , IRFZ44 , AOB600A70FL , AOB600A70L , AOB66216L , AOB66518L , AOB66613L , AOB66616L , AOB66620L , AOB66811L .

History: CSD75211W1723 | CSD83325L | SI2308 | BLS60R520-D | VBFB2658 | SVF2N65D | 2SK4178-S27-AY

 

 
Back to Top

 


 
.