Справочник MOSFET. AOB780A70L

 

AOB780A70L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB780A70L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AOB780A70L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB780A70L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  aosemi
aob780a70l.pdfpdf_icon

AOB780A70L

AOTF780A70L/AOT780A70L/AOB780A70LTM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOB66613L , AOB66616L , AOB66620L , AOB66811L , AOB66916L , AOB66919L , AOB66920L , AOB66935L , IRF9540 , AOTL095A60 , AOTL125A60 , AOTL130A60FD , AOTL160A60 , AOTL190A60 , AOTL42A60E , AOTL66215 , AOTL66401 .

History: PSMN5R0-100PS | CMRDM3590

 

 
Back to Top

 


 
.