AOTL190A60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTL190A60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 201 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для AOTL190A60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL190A60 даташит

 ..1. Size:456K  aosemi
aotl190a60.pdfpdf_icon

AOTL190A60

AOTL190A60 TM 600V, a MOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:551K  aosemi
aotl160a60.pdfpdf_icon

AOTL190A60

AOTL160A60 600V, aMOS TM N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:450K  aosemi
aotl130a60fd.pdfpdf_icon

AOTL190A60

AOTL130A60FD TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 112A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.3. Size:442K  aosemi
aotl125a60.pdfpdf_icon

AOTL190A60

AOTL125A60 TM 600V, a MOS5 TOLL for high density, high reliability SMPS General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOB66919L, AOB66920L, AOB66935L, AOB780A70L, AOTL095A60, AOTL125A60, AOTL130A60FD, AOTL160A60, IRF630, AOTL42A60E, AOTL66215, AOTL66401, AOTL66515, AOTL66518, AOTL66608, AOTL66610, AOTL66810