AOTL66610. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTL66610

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 350 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm

Тип корпуса: TOLLA

Аналог (замена) для AOTL66610

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL66610 даташит

 ..1. Size:715K  aosemi
aotl66610.pdfpdf_icon

AOTL66610

AOTL66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 350A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:465K  aosemi
aotl66608.pdfpdf_icon

AOTL66610

AOTL66608 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 400A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:379K  aosemi
aotl66215.pdfpdf_icon

AOTL66610

AOTL66215 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 305A Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:369K  aosemi
aotl66810.pdfpdf_icon

AOTL66610

AOTL66810 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 420A Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) PB-free lead plating, RoHS compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOTL160A60, AOTL190A60, AOTL42A60E, AOTL66215, AOTL66401, AOTL66515, AOTL66518, AOTL66608, IRF4905, AOTL66810, AOTL66810Q, AOTL66811, AOTL66912, AOTL66912Q, AOTL66914, AOTL66915, AOTL66918