AOTL66912Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTL66912Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 370 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TOLLA

Аналог (замена) для AOTL66912Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL66912Q даташит

 ..1. Size:406K  aosemi
 aotl66912q.pdf pdf_icon

AOTL66912Q

AOTL66912Q TM 100V N-Channel AlphaSGT AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VDS 100V AEC-Q101 Qualified ID (at VGS=10V) 370A Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology Low Rds(on) RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:658K  aosemi
 aotl66912.pdf pdf_icon

AOTL66912Q

AOTL66912 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 380A Combination of low RDS(ON) and wide safe operating area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:375K  aosemi
 aotl66914.pdf pdf_icon

AOTL66912Q

AOTL66914 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 220A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:494K  aosemi
 aotl66915.pdf pdf_icon

AOTL66912Q

AOTL66915 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 100V Higher in-rush current enabled for faster start-up and ID (at VGS=10V) 339A shorter down time RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTL66515, AOTL66518, AOTL66608, AOTL66610, AOTL66810, AOTL66810Q, AOTL66811, AOTL66912, 4435, AOTL66914, AOTL66915, AOTL66918, AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, AOTS21319C, AOTS26108