Справочник MOSFET. AOTS21115C

 

AOTS21115C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTS21115C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6L
 

 Аналог (замена) для AOTS21115C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS21115C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  aosemi
 aots21115c.pdf pdf_icon

AOTS21115C

AOTS21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -6.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.1. Size:363K  aosemi
 aots21313c.pdf pdf_icon

AOTS21115C

AOTS21313C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:375K  aosemi
 aots21311c.pdf pdf_icon

AOTS21115C

AOTS21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:362K  aosemi
 aots21319c.pdf pdf_icon

AOTS21115C

AOTS21319C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOTL66810 , AOTL66810Q , AOTL66811 , AOTL66912 , AOTL66912Q , AOTL66914 , AOTL66915 , AOTL66918 , TK10A60D , AOTS21311C , AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AOTS32334C , AOTS32338C , AOTE21115C , AOTE32136C .

 

 
Back to Top

 


 
.