AOTS21319C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOTS21319C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOTS21319C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS21319C даташит

 ..1. Size:362K  aosemi
 aots21319c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21319C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:363K  aosemi
 aots21313c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21313C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.2. Size:375K  aosemi
 aots21311c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:611K  aosemi
 aots21115c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21115C 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -6.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTL66912, AOTL66912Q, AOTL66914, AOTL66915, AOTL66918, AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, 20N50, AOTS26108, AOTS32334C, AOTS32338C, AOTE21115C, AOTE32136C, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616