AOTS21319C - аналоги и даташиты транзистора

 

AOTS21319C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOTS21319C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6L
 

 Аналог (замена) для AOTS21319C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS21319C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  aosemi
 aots21319c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21319C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:363K  aosemi
 aots21313c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21313C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.2. Size:375K  aosemi
 aots21311c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:611K  aosemi
 aots21115c.pdf pdf_icon

AOTS21319C

AOTS21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -6.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOTL66912 , AOTL66912Q , AOTL66914 , AOTL66915 , AOTL66918 , AOTS21115C , AOTS21311C , AOTS21313C , IRF4905 , AOTS26108 , AOTS32334C , AOTS32338C , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 .

History: DSE054N10N3

 

 
Back to Top

 


 
.