Справочник MOSFET. AOTS21319C

 

AOTS21319C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOTS21319C
   Маркировка: KC*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6L

 Аналог (замена) для AOTS21319C

 

 

AOTS21319C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  aosemi
 aots21319c.pdf

AOTS21319C AOTS21319C

AOTS21319C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:363K  aosemi
 aots21313c.pdf

AOTS21319C AOTS21319C

AOTS21313C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.2. Size:375K  aosemi
 aots21311c.pdf

AOTS21319C AOTS21319C

AOTS21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:611K  aosemi
 aots21115c.pdf

AOTS21319C AOTS21319C

AOTS21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -6.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top