Справочник MOSFET. AOTS32338C

 

AOTS32338C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTS32338C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6L
 

 Аналог (замена) для AOTS32338C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS32338C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  aosemi
 aots32338c.pdf pdf_icon

AOTS32338C

AOTS32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:328K  aosemi
 aots32334c.pdf pdf_icon

AOTS32338C

AOTS32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOTL66915 , AOTL66918 , AOTS21115C , AOTS21311C , AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AOTS32334C , IRLZ44N , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 , AOUS66923 .

History: CEM4948

 

 
Back to Top

 


 
.