Справочник MOSFET. AOTS32338C

 

AOTS32338C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTS32338C
   Маркировка: K9*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS32338C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  aosemi
 aots32338c.pdf pdf_icon

AOTS32338C

AOTS32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:328K  aosemi
 aots32334c.pdf pdf_icon

AOTS32338C

AOTS32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP9565BGH-HF | AM4492N

 

 
Back to Top

 


 
.