AOTS32338C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOTS32338C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOTS32338C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS32338C даташит

 ..1. Size:332K  aosemi
 aots32338c.pdf pdf_icon

AOTS32338C

AOTS32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:328K  aosemi
 aots32334c.pdf pdf_icon

AOTS32338C

AOTS32334C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOTL66915, AOTL66918, AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, AOTS21319C, AOTS26108, AOTS32334C, RFP50N06, AOTE21115C, AOTE32136C, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620, AOUS66920, AOUS66923