AOTS32338C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOTS32338C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6L
Аналог (замена) для AOTS32338C
AOTS32338C Datasheet (PDF)
aots32338c.pdf
AOTS32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aots32334c.pdf
AOTS32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOTL66915 , AOTL66918 , AOTS21115C , AOTS21311C , AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AOTS32334C , AON7506 , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 , AOUS66923 .
History: 2N6792U
History: 2N6792U
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P04DF | AP40P04D | AP40P03DF | AP40P02D | AP40N20MP | AP40N10P | AP40N03S | AP40N02D | AP30P03D | AP30P02DF | AP30P01DF | AP30N20P | AP30N15D | AP30N10Y | AP260N12TLG1 | AP6G03LI
Popular searches
2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923



