Справочник MOSFET. AOTE21115C

 

AOTE21115C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTE21115C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8L
 

 Аналог (замена) для AOTE21115C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTE21115C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  aosemi
 aote21115c.pdf pdf_icon

AOTE21115C

AOTE21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

Другие MOSFET... AOTL66918 , AOTS21115C , AOTS21311C , AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AOTS32334C , AOTS32338C , AO4407 , AOTE32136C , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 , AOUS66923 , FXN0603D .

History: 2SK3299-ZJ | BLS65R380-U | UT3458 | VBA4311 | 12N70KL-TF3T-T | 19N10G-TMS2-T | AP9487GM

 

 
Back to Top

 


 
.