Справочник MOSFET. FXN9N90F

 

FXN9N90F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN9N90F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN9N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:741K  cn fx-semi
 fxn9n90f.pdf pdf_icon

FXN9N90F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN9N90F Series Rev.A General Description Features The FXN9N90F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 900V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 9A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indus

 7.1. Size:797K  cn fx-semi
 fxn9n90p.pdf pdf_icon

FXN9N90F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN9N90P Series Rev.A General Description Features The FXN9N90P uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 900V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 9A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indus

 9.1. Size:464K  cn fx-semi
 fxn9n50f.pdf pdf_icon

FXN9N90F

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN9N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN9N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 9A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial appl

 9.2. Size:598K  cn fx-semi
 fxn9n20c.pdf pdf_icon

FXN9N90F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN9N20C Series Rev.AGeneral Description Features The FXN9N20C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 9 A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.