FXN18N20C - аналоги и даташиты транзистора

 

FXN18N20C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FXN18N20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FXN18N20C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN18N20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  cn fx-semi
 fxn18n20c.pdf pdf_icon

FXN18N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N20C Series Rev.A General Description Features The FXN18N20C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

 8.1. Size:746K  cn fx-semi
 fxn18n50f.pdf pdf_icon

FXN18N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N50F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN18N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in ind

Другие MOSFET... FXN0206C , FXN0303D , FXN0304C , FXN9N45F , FXN9N50F , FXN9N90F , FXN9N90P , FXN15S50F , IRF1405 , FXN18N50F , FXN20N50F , FXN0704F , FXN0706C , FXN0707C , FXN0707CN , FXN4613F , FXN4615F .

 

 
Back to Top

 


 
.