Справочник MOSFET. FXN8N65D

 

FXN8N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN8N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FXN8N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN8N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:947K  cn fx-semi
 fxn8n65d.pdf pdf_icon

FXN8N65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN8N65D Series Rev.A General Description Features The FXN8N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 8A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 7.1. Size:302K  cn fx-semi
 fxn8n65f.pdf pdf_icon

FXN8N65D

1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 650 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V - - 1 A Ga

 8.1. Size:583K  cn fx-semi
 fxn8n60f.pdf pdf_icon

FXN8N65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN8N60F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN8N60F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 600VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 8A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial appl

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.