Справочник MOSFET. FXN10N50F

 

FXN10N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN10N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN10N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN10N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:960K  cn fx-semi
fxn10n50f.pdfpdf_icon

FXN10N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN10N50F Series Rev.AGeneral Description Features The 10N50Fuses advanced Silicon s MOSFET T echnology, which FXN VDS = 500V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 10A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

 8.1. Size:734K  cn fx-semi
fxn10n65f.pdfpdf_icon

FXN10N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN10N65F Series Rev.A General Description Features The FXN10N65F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 10A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in in

 8.2. Size:478K  cn fx-semi
fxn10n80f.pdfpdf_icon

FXN10N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN10N80F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN10N80F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 800VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 10A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial a

 8.3. Size:858K  cn fx-semi
fxn10n06d.pdfpdf_icon

FXN10N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN10N06D Series Rev.AGeneral Description Features The FXN10N06D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 60V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 52A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industri

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CEM4201

 

 
Back to Top

 


 
.