FXN0808C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FXN0808C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 81 nC
trⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN0808C Datasheet (PDF)
fxn0808c.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN0808C Series Rev.AGeneral Description Features The FXN0808C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 80V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 100A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria
fxn08s65d.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN08S65D Series Rev.A General Description Features The FXN08S65D uses advanced Cool MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 8A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial applic
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
