Справочник MOSFET. FXN0808C

 

FXN0808C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN0808C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 81 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FXN0808C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN0808C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  cn fx-semi
 fxn0808c.pdf pdf_icon

FXN0808C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN0808C Series Rev.AGeneral Description Features The FXN0808C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 80V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 100A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 9.1. Size:712K  cn fx-semi
 fxn08s65d.pdf pdf_icon

FXN0808C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN08S65D Series Rev.A General Description Features The FXN08S65D uses advanced Cool MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 8A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial applic

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.