FXN08S65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FXN08S65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FXN08S65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN08S65D даташит

 ..1. Size:712K  cn fx-semi
 fxn08s65d.pdf pdf_icon

FXN08S65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN08S65D Series Rev.A General Description Features The FXN08S65D uses advanced Cool MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 8A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial applic

 9.1. Size:987K  cn fx-semi
 fxn0808c.pdf pdf_icon

FXN08S65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN0808C Series Rev.A General Description Features The FXN0808C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 80V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 100A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

Другие IGBT... FXN10N65F, FXN10N80F, FXN5N65D, FXN5N65F, FXN5N65FM, FXN65S55T, FXN07N10NS, FXN0808C, IRF540N, FXN09150C, FXN4607F, FXN4609F, FXN4611F, FXN4628F, FXN11N45F, FXN12N60FS, FXN12N65F