Справочник MOSFET. FXN32N55T

 

FXN32N55T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN32N55T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FXN32N55T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN32N55T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  cn fx-semi
 fxn32n55t.pdf pdf_icon

FXN32N55T

FuXin Semiconductor Co., Ltd. Rev.A FXN32N55T Features General Description VDS = 550V The FXN32N55T uses advanced Silicons MOSFET Technology, ID = 32A @VGS = 10V which provides high performance in on-state resistance, fast Very low on-resistance switching performance, and excellent quality. RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.