FXN32N55T - аналоги и даташиты транзистора

 

FXN32N55T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FXN32N55T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FXN32N55T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN32N55T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  cn fx-semi
 fxn32n55t.pdf pdf_icon

FXN32N55T

FuXin Semiconductor Co., Ltd. Rev.A FXN32N55T Features General Description VDS = 550V The FXN32N55T uses advanced Silicons MOSFET Technology, ID = 32A @VGS = 10V which provides high performance in on-state resistance, fast Very low on-resistance switching performance, and excellent quality. RDS(ON)

Другие MOSFET... FXN4607F , FXN4609F , FXN4611F , FXN4628F , FXN11N45F , FXN12N60FS , FXN12N65F , FXN12S65F , 10N60 , FXN40N03C , FXN40N03H , FXN40N20C , FXN13N45F , FXN13N50C , FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C .

 

 
Back to Top

 


 
.