FXN13N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FXN13N50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FXN13N50C
FXN13N50C Datasheet (PDF)
fxn13n50c.pdf

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN13N50C Series Rev.A General Description Features The FXN13N50C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 500V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 13A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust
fxn13n50k.pdf

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN13N50K Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN13N50K uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 15A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial a
fxn13n45f.pdf

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN13N45F Series Rev.A General Description Features The FXN13N45F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 450V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 13A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in in
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IXTH200N075T | STE36N50-DA | KDB5690
History: IXTH200N075T | STE36N50-DA | KDB5690



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor