FXN25S55GF - аналоги и даташиты транзистора

 

FXN25S55GF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FXN25S55GF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN25S55GF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN25S55GF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  cn fx-semi
 fxn25s55gf.pdf pdf_icon

FXN25S55GF

1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 550 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 550V, VGS = 0V - - 1 A Ga

 9.1. Size:573K  cn fx-semi
 fxn25n50f.pdf pdf_icon

FXN25S55GF

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN25N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN25N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID =25A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial ap

Другие MOSFET... FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F , FXN30S60T , FXN20S60F , FXN23S65F , FXN25N50F , 8205A , FXN28N50F , FXN28N50P , FXN28N50T , FXN28S50F , FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T .

History: JCS5N60R | IRFP140PBF | APQ10SN40AF | IRFZ20PBF | IRL3103D1S | SHDC220301 | IRF3205ZLPBF

 

 
Back to Top

 


 
.