FXN25S55GF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN25S55GF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN25S55GF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN25S55GF даташит

 ..1. Size:337K  cn fx-semi
 fxn25s55gf.pdf pdf_icon

FXN25S55GF

1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250 A, VGS = 0V 550 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250 A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 550V, VGS = 0V - - 1 A Ga

 9.1. Size:573K  cn fx-semi
 fxn25n50f.pdf pdf_icon

FXN25S55GF

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN25N50F Series Rev.A General Description Features The FXN25N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =25A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

Другие IGBT... FXN15N06D, FXN30S55C, FXN30S55F, FXN30S60F, FXN30S60T, FXN20S60F, FXN23S65F, FXN25N50F, STP75NF75, FXN28N50F, FXN28N50P, FXN28N50T, FXN28S50F, FXN15N50F, FXN2N60D, FXN30N50F, FXN30N50T