FXN2N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FXN2N60D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN2N60D Datasheet (PDF)
..1. Size:353K cn fx-semi
fxn2n60d.pdf
fxn2n60d.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN2N60D Series Rev.A General Description Features The FXN2N60D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 600V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 2.3A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
