FXN2N60D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN2N60D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN2N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN2N60D даташит

 ..1. Size:353K  cn fx-semi
 fxn2n60d.pdf pdf_icon

FXN2N60D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN2N60D Series Rev.A General Description Features The FXN2N60D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 600V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 2.3A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr

Другие IGBT... FXN23S65F, FXN25N50F, FXN25S55GF, FXN28N50F, FXN28N50P, FXN28N50T, FXN28S50F, FXN15N50F, BS170, FXN30N50F, FXN30N50T, FXN9N40C, FXN4N60D, FXN4N65D, FXN7N65D, CRJQ99N65G2, LSD07N80A-VB