Справочник MOSFET. FXN4N65D

 

FXN4N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN4N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FXN4N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN4N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  cn fx-semi
 fxn4n65d.pdf pdf_icon

FXN4N65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4N65D Series Rev.A General Description Features The FXN4N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 4A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 8.1. Size:353K  cn fx-semi
 fxn4n60d.pdf pdf_icon

FXN4N65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4N60D Series Rev.A General Description Features The FXN4N60D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 600V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 4A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

Другие MOSFET... FXN28N50T , FXN28S50F , FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T , FXN9N40C , FXN4N60D , IRF9540N , FXN7N65D , CRJQ99N65G2 , LSD07N80A-VB , FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 .

 

 
Back to Top

 


 
.